[发明专利]半导体集成电路与D/A转换器及A/D转换器

权利要求书

1.一种半导体集成电路与D/A转换器及A/D转换器，它包括：相互接近配置的第1和第2配线，其中：

为控制上述第1及第2配线的电容耦合而设置的屏蔽线。

2.根据权利要求第1项所述的一种半导体集成电路与D/A转换器及A/D转换器，它包括：含有第1电极和第2电极的电路单元；上述第1配线是联接于上述电路单元的上述第1电极的第1电极配线；上述第2配线是联接于上述电路单元的上述第2电极的第2电极配线；其中：

上述屏蔽线是为控制包括上述第1电极配线和第2电极配线之间的电容耦合，第1电极配线和第2电极之间的电容耦合以及上述第2电极配线和上述第1电极之间的电容耦合而设置的。

3.根据权利要求第1项所述的一种半导体集成电路与D/A转换器及A/D转换器，它包括：包含第1电极和第2电极的，相互近距离配置的复数个电容单元；上述第1配线是用于联接上述各个电路单元和上述第1电极的第1电极配线；上述第2配线是用于联接上述各个电路单元和上述第2电极的第2电极配线；其中：

上述屏蔽线是为控制包括上述第1电极配线和第2电极配线之间的电容耦合的上述第1电极配线和第2电极之间的电容耦合而设置的。

4.根据权利要求第3项所述的半导体集成电路，其中：

上述屏蔽线为控制第2电极配线和第1电极之间的电容耦合而设置。

5.根据权利要求第3项所述的半导体集成电路，包括：上述屏蔽线，第1导电层，设置在上述第1导电层上面的第2导电层和设置在第2导电层上面的第3导电层，其中：

上述各电容单元的第1电极配线形成于上述第1导电层，上述各电容单元的第2电极配线形成于上述第3导电层，屏蔽线形成于上述第2导电层。

6.根据权利要求第3项所述的半导体集成电路，包括：屏蔽线和形成于同一层导电层的各电容元件的第1电极配线，第2电极配线和第1电极，其中：

屏蔽线形成于上述同一导电层中。

7.根据权利要求第3项所述的半导体集成电路，其中：

上述屏蔽线设定为所定的固定电位。

8.根据权利要求第7项所述的半导体集成电路，其中：

上述屏蔽线的固定电位为各电容的允许电压范围的大约中间电位值。

9.根据权利要求第3项所述的半导体集成电路，其中：

各电容单元的第1及第2电极中的其中之一是在扩散层上形成的。

10.根据权利要求第3项所述的半导体集成电路，包括：第1导电层，设置在上述第1导电层上面的第2导电层和设置在第2导电层上面的第3导电层，其中：

各电容单元的第1电极电气联接于第1和第3导电层，上述各电容单元的第2电极形成于上述第2导电层。

11.根据权利要求第3项所述的半导体集成电路，其中：

在上述半导体集成电路中配置了电荷分配型D/A转换器。

12.根据权利要求第11项所述的半导体集成电路，其中：

在上述半导体集成电路中配置了将电荷分配型D/A转换器用做部分电荷分配型D/A转换器的电荷再分配型A/D转换器。