[发明专利]简化制造工艺的有源矩阵有机电致发光器件及其制造方法

权利要求书

1、一种有源矩阵有机电致发光器件包括：

一基板；

基板上的一半导体层和一存储电极；

半导体层和存储电极上的栅极绝缘层，栅极绝缘层具有源极和漏极接触孔；

位于半导体层之上的栅极绝缘层上的一栅电极；

栅电极上的第一绝缘层，第一绝缘层覆盖存储电极并且具有与栅极绝缘层共同的源极和漏极接触孔；

位于存储电极之上的第一绝缘层上的电源电极；

第一绝缘层上的第一电极；

第一电极上的第二绝缘层，第二绝缘层具有一开口部、一电极接触孔和一存储接触孔，第二绝缘层具有与栅极绝缘层和第一绝缘层共同的源极和漏极接触孔；

在第二绝缘层上彼此分开的源极和漏极，源极通过源极接触孔连接到半导体层，并通过存储接触孔连接到电源电极，漏极通过漏极接触孔连接到半导体，并通过电极接触孔连接到第一电极；

源极和漏极上的第三绝缘层，第三绝缘层具有与第二绝缘层共同的开口部；

第三绝缘层上的一有机电致发光层，有机电致发光层通过开口部接触到第一电极；以及

有机电致发光层上的第二电极。

2、按照权利要求1的器件，其特征是第一，第二和第三绝缘层是用无机绝缘材料制成的。

3、按照权利要求2的器件，其特征在于无机绝缘材料是氧化硅(SiO₂)和氮化硅(SiNx)之一。

4、按照权利要求1的器件，其特征在于半导体层和存储电极是同时形成的。

5、按照权利要求1的器件，其特征是半导体层和存储电极在同一层中。

6、按照权利要求1的器件，其特征是在半导体层的侧端部搀杂离子。

7、按照权利要求1的器件，其特征是第一电极是用透明导电材料制成的。

8、按照权利要求7的器件，其特征是透明导电材料是铟锡氧化物(ITO)。

9、按照权利要求1的器件，其特征是第二电极是用逸出功在4eV以下的不透明导电材料制成的。

10、按照权利要求9的器件，其特征是不透明导电材料是碱金属。

11、按照权利要求9的器件，其特征是不透明导电材料是镁/银(Mg∶Ag)合金、铝/锂(Al∶Li)合金及双层的氟化锂(LiF)和铝(Al)之一。

12、按照权利要求1的器件，其特征是进一步包括沿第一方向的扫描线，以及沿第二方向的信号线和电源线，扫描线包括栅电极，信号线包括源极，而电源线包括电源电极并且与信号线分开。

13、按照权利要求1的器件，其特征是有机电致发光层具有一空穴注入层、一空穴迁移层、一发射层及一电子迁移层。

14、按照权利要求1的器件，其特征是有机电致发光层是用真空蒸发法形成的。

15、按照权利要求1的器件，其特征在于半导体层是用多晶硅制成的。

16、一种有源矩阵有机电致发光器件的制造方法包括：

在一基板上形成一半导体层和一存储电极；

在半导体层和存储电极上形成一栅极绝缘层，栅极绝缘层具有源极和漏极接触孔；

在半导体层之上的栅极绝缘层上形成一栅电极；

在栅电极上形成第一绝缘层，第一绝缘层覆盖存储电极并且具有与栅极绝缘层共同的源极和漏极接触孔；

在位于存储电极之上的第一绝缘层上形成电源电极；

在第一绝缘层上形成第一电极；

在第一电极上形成第二绝缘层，第二绝缘层具有一开口部、一电极接触孔和一存储接触孔，第二绝缘层具有与栅极绝缘层和第一绝缘层共同的源极和漏极接触孔；

在第二绝缘层上形成彼此分开的源极和漏极，源极通过源极接触孔连接到半导体层，并通过存储接触孔连接到电源电极，漏极通过漏极接触孔连接到半导体，并通过电极接触孔连接到第一电极；

在源极和漏极上形成第三绝缘层，第三绝缘层具有与第二绝缘层共司的开口部；

在第三绝缘层上形成一个有机电致发光层，有机电致发光层通过开口部接触到第一电极；并且

在有机电致发光层上形成第二电极。