[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 02140625.1 | 申请日： | 2002-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN1396653A | 公开（公告）日： | 2003-02-12 |
| 发明（设计）人： | 铃木岳洋;丰泽健司 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，由半导体元件(1)和其上有形成于薄膜基片(4)的布线图形(5)的布线基片(6)构成，所述半导体元件(1)与所述布线图形(5)接合，所述半导体元件(1)与所述布线基片(6)用树脂密封；
其特征在于：在所述薄膜基片(4)的至少一面上不形成布线图形(5)的区域，用线膨胀系数比薄膜基片(4)小的材料形成增强膜(8)。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述增强膜(8)用跟所述布线图形(5)相同的材料形成。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述增强膜(8)的厚度不大于所述布线图形(5)的厚度。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述增强膜(8)的厚度为所述布线图形(5)的1/3～2/3。
5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于：在所述薄膜基片(4)上形成多个相互独立的所述增强膜(8)。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：相邻的所述增强膜(8)的间隔比相邻的所述布线图形(5)的间隔宽。
7.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：所述增强膜(8)在所述薄膜基片(4)上对称地形成。
8.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于：所述增强膜(8)在所述布线基片(6)的两面形成。
9.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于：所述增强膜(8)为三角形、正方形或圆形。
10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于：所述增强膜(8)为三角形或正方形，相邻的所述增强膜(8)边对边地布置。
11.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于：所述增强膜(8)遮挡α射线。
12.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于：所述增强膜(8)和所述布线图形(5)分开形成。
13.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于：所述薄膜基片(4)由聚酰亚胺树脂、聚酯树脂等绝缘材料构成。
14.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于：所述增强膜(8)为由金属构成的金属膜。
15.一种在薄膜基片(4)上形成了布线图形(5)的布线基片(6)，其特征在于：
在所述薄膜基片(4)上不形成布线图形(5)的区域，用线膨胀系数比薄膜基片(4)小的材料形成增强膜(8)。
16.一种其上有多个布线基片(6)形成的载运带，其特征在于：
所述布线基片(6)是在薄膜基片(4)上形成了布线图形(5)的布线基片(6)；
在所述薄膜基片(4)上不形成布线图形(5)的区域，用线膨胀系数比薄膜基片(4)小的材料形成增强膜(8)。
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