[发明专利]充电电路和/或放电电路及使用它们的载波检测电路有效
申请号: | 02140917.X | 申请日: | 2002-07-10 |
公开(公告)号: | CN1396715A | 公开(公告)日: | 2003-02-12 |
发明(设计)人: | 井上高广;横川成一;西野毅 | 申请(专利权)人: | 夏普公司 |
主分类号: | H04B1/10 | 分类号: | H04B1/10;H03D1/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 马莹,邵亚丽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 充电 电路 放电 使用 它们 载波 检测 | ||
1.一种充电电路,以P型晶体管(QP2)的基极电流对电容进行充电,其特征在于,该充电电路包括:
形成所述充电的基准电流的基准电流形成部件;
返回所述基准电流并供给作为所述P型晶体管(QP2)的发射极电流的电流镜电路(QP3、QP4);以及
偏置电压源(45),在所述基准电流形成部件中,使从所述电流镜电路(QP3、QP4)取出所述基准电流的输出级晶体管(QP1)和所述P型晶体管的发射极-集电极间电压大致相等。
2.如权利要求1所述的充电电路,其特征在于,所述基准电流形成部件由形成差动对的一对N型晶体管(QN1、QN2)、将所述一对N型晶体管(QN1、QN2)的发射极公用连接的基准电流源(F1)、以及所述输出级的P型晶体管(QP1)构成,将输入信号(Vc1-1)输入到所述一对N型晶体管(QN1、QN2)的一个基极,而将另一个基极连接到所述输出级的P型晶体管(QP1)的基极。
3.一种放电电路,以N型晶体管的基极电流从电容进行放电,其特征在于,该放电电路包括:
基准电流形成部件,形成所述放电的基准电流;
电流镜电路,返回所述基准电流,并将其取出作为所述N型晶体管的发射极电流;以及
偏置电压源,在所述基准电流形成部件中,使所述基准电流提供给所述电流镜电路的输出级的晶体管和所述N型晶体管的发射极-集电极间电压大致相等。
4.一种充放电电路,用晶体管的基极电流对电容进行充放电,其特征在于,按与充放电的电流比所对应的并联个数来形成将恒流源(F1、F2)形成的电流(Ij0、If0)分别变换成用于充电和用于放电的所述基极电流的晶体管(QN3、QN4)。
5.一种载波检测电路,使用以P型晶体管(QP2)的基极电流对电容进行充电的充电电路,形成载波检测电平,其特征在于,该充电电路包括:
形成所述充电的基准电流的基准电流形成部件;
返回所述基准电流并将其提供为所述P型晶体管(QP2)的发射极电流的电流镜电路(QP3、QP4);以及
在所述基准电流形成部件中,从所述电流镜电路(QP3、QP4)取出所述基准电流的输出级晶体管(QP1)和使所述P型晶体管的发射极-集电极间电压大致相等的偏置电压源(45)。
6.如权利要求5所述的载波检测电路,其特征在于,所述基准电流形成部件由形成差动对的一对N型晶体管(QN1、QN2)、将所述一对N型晶体管(QN1、QN2)的发射极公用连接的基准电流源(F1)、以及所述输出级的P型晶体管(QP1)构成,将输入信号(Vc1-1)输入到所述一对N型晶体管(QN1、QN2)的一个基极,而将另一个基极连接到所述输出级的P型晶体管(QP1)的基极。
7.一种载波检测电路,使用以N型晶体管的基极电流从电容进行放电的放电电路,形成载波检测电平,其特征在于,该放电电路包括:
基准电流形成部件,形成所述放电的基准电流;
电流镜电路,返回所述基准电流,并将其取出作为所述N型晶体管的发射极电流;以及
偏置电压源,在所述基准电流形成部件中,使所述基准电流提供给所述电流镜电路的输出级的晶体管和所述N型晶体管的发射极-集电极间电压大致相等。
8.一种载波检测电路,使用以晶体管的基极电流对电容进行充放电的充放电电路,形成载波检测电平,其特征在于,该充放电电路按与充放电的电流比所对应的并联个数来形成将恒流源(F1、F2)形成的电流(Ij0、If0)分别变换成用于充电和用于放电的所述基极电流的晶体管(QN3、QN4)。
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