[发明专利]波导管和组合物有效

专利信息
申请号: 02141519.6 申请日: 2002-03-29
公开(公告)号: CN1399439A 公开(公告)日: 2003-02-26
发明(设计)人: J·G·谢尔纳特;M·L·莫伊尼汉;D·A·格隆贝克;G·G·巴克雷 申请(专利权)人: 希普雷公司
主分类号: H04J14/02 分类号: H04J14/02;G03C1/725;G03F7/004
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 郭建新
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 波导管 组合
【权利要求书】:

1.一种可限定光的组合物,包括硅倍半氧烷低聚物和光敏成分,该低聚物包括作为聚合单元的式(RSiO1.5)单体,其中R选自羟基苯基或羟基苄基,组合物中硅倍半氧烷低聚物的溶解性由于暴露在光化学辐射下而改变。

2.一种可限定光的组合物,包括硅倍半氧烷低聚物、一种或多种有机交联剂和光敏成分,所述低聚物包括作为聚合单元的式(RSiO1.5)单体,其中R选自羟基苯基或羟基苄基,组合物中硅倍半氧烷低聚物的溶解性由于暴露在光化学辐射下而改变。

3.权利要求1或2的可限定光的组合物,其中硅倍半氧烷低聚物进一步含有作为聚合单元的式(R2SiO1.5)单体,其中R2选自羟基苯基、羟基苯基(C1-C6)烷基、苯基、卤代苯基、(C1-C10)烷基苯基、(C1-C10)氟代烷基苯基、(C1-C10)烷基和(C1-C10)氟代烷基、其中R和R2不相同。

4.一种生产光波导管的方法,包括步骤:a)在基底上沉积一层可限定光的组合物,该组合物包括硅倍半氧烷低聚物和光敏成分,所述低聚物包括作为聚合单元的式(RSiO1.5)单体,其中R选自羟基苯基或羟基苯基(C1-C6)烷基;和b)将组合物暴露在光化学辐射下形成光波导管。

5.权利要求4的方法,其中硅倍半氧烷低聚物进一步含有作为聚合单元的式(R2SiO1.5)单体,其中R2选自羟基苯基、羟基苯基(C1-C6)烷基、苯基、卤代苯基、(C1-C10)烷基苯基、(C1-C10)氟代烷基苯基、(C1-C10)烷基和(C1-C10)氟代烷基,其中R和R2不相同。

6.权利要求4或5的方法,其中可限定光的组合物进一步含有一种或多种有机交联剂。

7.一种光波导管,包括芯和包层,其中芯和包层中的至少一个包括硅倍半氧烷聚合物,该聚合物包括作为聚合单元的式(RSiO1.5)单体,其中R选自羟基苯基或羟基苯基(C1-C6)烷基。

8.一种光波导管,包括芯和包层,其中芯和包层中的至少一个包括硅倍半氧烷聚合物和一种或多种有机交联剂,所述聚合物包括作为聚合单元的式(RSiO1.5)单体,其中R选自羟基苯基或羟基苄基。

9.权利要求7或8的光波导管,其中硅倍半氧烷聚合物进一步含有作为聚合单元的式(R2SiO1.5)单体,其中R2选自羟基苯基、羟基苯基(C1-C6)烷基、苯基、卤代苯基、(C1-C10)烷基苯基、(C1-C10)氟代烷基苯基、(C1-C10)烷基和(C1-C10)氟代烷基其中R和R2不相同。

10.一种包括一个或多个权利要求7-9任一项的光波导管的电子元件。

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