[发明专利]荧光稀土络合物硅纳米颗粒类标记物及其制备方法无效

专利信息
申请号: 02141718.0 申请日: 2002-08-30
公开(公告)号: CN1400467A 公开(公告)日: 2003-03-05
发明(设计)人: 李庆阁;许晔 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: G01N33/52 分类号: G01N33/52;G01N33/533
代理公司: 厦门南强之路专利事务所 代理人: 马应森
地址: 361005 *** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 荧光 稀土 络合物 纳米 颗粒 标记 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1、荧光稀土络合物硅纳米颗粒类标记物,其特征在于是搀杂荧光稀土络合物的硅纳米颗粒。

2、如权利要求1所述的荧光稀土络合物硅纳米颗粒类标记物,其特征在于所说的硅纳米颗粒是由硅醇经水解凝聚形成的颗粒。

3、如权利要求1所述的荧光稀土络合物硅纳米颗粒类标记物的制备方法,其特征在于:将荧光稀土络合物搀杂于硅纳米颗粒中。

4、如权利要求3所述的荧光稀土络合物硅纳米颗粒类标记物的制备方法,其特征在于所说的搀杂是物理包裹或化学键合。

5、如权利要求4所述的荧光稀土络合物硅纳米颗粒类标记物的制备方法,其特征在于所说的物理包裹是指荧光稀土络合物被嵌入在硅氧网格中。

6、如权利要求4所述的荧光稀土络合物硅纳米颗粒类标记物的制备方法,其特征在于所说的化学键合是通过修饰的硅醇使荧光稀土络合物通过化学键与硅连接。

7、如权利要求1,3,4,5或6所述的荧光稀土络合物硅纳米颗粒类标记物的制备方法,其特征在于所说的荧光稀土络合物是水溶性的,为多数Tb3+的络合物和部分Eu3+的络合物,通过O/W反相微乳搀杂在硅纳米颗粒中。

8、如权利要求1,3,4,5或6所述的荧光稀土络合物硅纳米颗粒类标记物的制备方法,其特征在于所说的荧光稀土络合物是水不溶性的,为大部分Eu3+络合物和一部分Tb3+离络合物,通过后掺入的方式搀杂在已经形成的硅纳米颗粒中。

9、如权利要求1,3,4,5或6所述的荧光稀土络合物硅纳米颗粒类标记物的制备方法,其特征在于所说的荧光稀土络合物是带有活性基团的稀土配体,通过和修饰的硅醇反应化学键合在硅纳米颗粒中。

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