[发明专利]非易失半导体存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失半导体存储器件，包括具有多个存储单元的元件区和用于将所述存储单元彼此电气分隔的元件分隔区，

其中，所述存储单元包括：

沟道区；

在所述沟道区上形成的栅绝缘膜；

在所述栅绝缘膜上形成的浮置栅电极；

在所述浮置栅电极上形成的第二栅绝缘膜；

在所述第二栅绝缘膜上形成的控制栅电极；

在水平方向夹持所述沟道区而形成的源·漏区，

所述元件分隔区包括：

在与所述源·漏区夹持所述沟道区的方向基本垂直的水平方向、夹持所述沟道区而形成的元件分隔绝缘体；

在与所述源·漏区夹持所述沟道区的方向基本平行的水平方向、贯通所述元件分隔绝缘体内部的导电体。

2.根据权利要求1的非易失半导体存储器件，其中，所述浮置栅电极可与3以上的存储状态对应地维持形成存储状态所需的保持电荷量。

3.根据权利要求1的非易失半导体存储器件，其中，还包括与所述导电体的接触，设置为与所述导电体接合，用于向所述导电体施加一定电压。

4.根据权利要求1的非易失半导体存储器件，其中，所述导电体为接地电位。

5.根据权利要求1的非易失半导体存储器件，其中，所述导电体是第一导电型或第二导电型的多晶硅。

6.根据权利要求1的非易失半导体存储器件，其中，所述导电体是钨或铝。

7.根据权利要求1的非易失半导体存储器件，其中，所述导电体是金属硅化物。

8.根据权利要求1的非易失半导体存储器件，其中，所述元件分隔绝缘体是氧化硅。

9.根据权利要求1的非易失半导体存储器件，其中，所述元件分隔绝缘体形成在沟槽内。

10.一种非易失半导体存储器件的制造方法，包括以下工序：

在半导体衬底上形成用做栅绝缘膜的绝缘膜；

在所述半导体衬底上形成沟槽；

在形成的所述沟槽的底壁和侧壁形成第二绝缘膜；

在形成所述第二绝缘膜的沟槽内形成导电膜；

形成覆盖所述导电膜上面的第三绝缘膜；

在所述绝缘膜上形成用做浮置栅电极的第二导电膜；

在所述第二导电膜上形成用做第二栅绝缘膜的第四绝缘膜；

在所述第四绝缘膜上形成用做控制栅电极的第三导电膜；

在所述绝缘膜下形成源·漏区。