[发明专利]蚀刻法及蚀刻液无效
| 申请号： | 02141824.1 | 申请日： | 2002-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN1399317A | 公开（公告）日： | 2003-02-26 |
| 发明（设计）人： | 宗像昌树;小松洋仁;公文哲史;寺本和真;合田信弘;元井政和;齐藤范之;榊原利明;石川诚 | 申请（专利权）人： | 索尼公司;STLCD株式会社;三菱化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;C23F1/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,郭广迅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于蚀刻基体上的银或银合金薄层的蚀刻法，包括：将蚀刻液供入蚀刻罐或蚀刻液供料设备中的步骤，其中蚀刻液含0.005～1重量％的银离子，并使所述层与蚀刻液接触。
2.根据权利要求1的蚀刻法，其中蚀刻液总是保持其银离子浓度在0.005～1重量％的范围内。
3.根据权利要求1的蚀刻法，其中蚀刻液含有磷酸、硝酸和乙酸。
4.根据权利要求3的蚀刻法，其中蚀刻液含有1重量％或更多的乙酸。
5.根据权利要求3的蚀刻法，其中蚀刻液含有10～80重量％的磷酸和0.1～15重量％的硝酸。
6.根据权利要求1的蚀刻法，其中蚀刻液的温度为35℃或更低。
7.一种用于蚀刻银或其合金的蚀刻液，所述蚀刻液含有0.005～1重量％的银离子。
8.根据权利要求7的蚀刻液，其中所述蚀刻液还含有磷酸和硝酸。
9.根据权利要求8的蚀刻液，其中所述蚀刻液还含有乙酸。
10.根据权利要求9的蚀刻液，其中所述蚀刻液含有1重量％或更多的乙酸。
11.根据权利要求8的蚀刻液，其中所述蚀刻液含有10～80重量％的磷酸和0.1～15重量％的硝酸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
