[发明专利]双金属氧化物－氮化物－氧化物半导体阵列金属位结构及单个单元操作无效
| 申请号： | 02146167.8 | 申请日： | 2002-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1494086A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 大仓世纪;齐藤智也;大仓智子 | 申请（专利权）人： | 哈娄利公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双金属 氧化物 氮化物 半导体 阵列 金属 结构 单个 单元 操作 | ||
【权利要求书】：
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