[发明专利]双金属氧化物－氮化物－氧化物半导体的控制栅极及字线电压升压设计无效
| 申请号： | 02146168.6 | 申请日： | 2002-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1494087A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 大仓法;大仓世纪 | 申请（专利权）人： | 哈娄利公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C11/34;H01L27/115;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双金属 氧化物 氮化物 半导体 控制 栅极 电压 升压 设计 | ||
【权利要求书】：
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