[发明专利]横向磊晶形成磊晶层的方法无效
| 申请号： | 02148961.0 | 申请日： | 2002-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1501517A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 寺嶋一高;章烱煜;赖穆人 | 申请（专利权）人： | 威凯科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 横向 晶形 成磊晶层 方法 | ||
【权利要求书】：
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