[发明专利]具有铜熔丝的半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 02150606.X | 申请日： | 2002-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN1469466A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 吴德源;李秋德 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L27/04;H01L21/70 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 铜熔丝 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
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