[实用新型]连续激光陶瓷划片机无效
申请号: | 02215514.7 | 申请日: | 2002-02-01 |
公开(公告)号: | CN2529385Y | 公开(公告)日: | 2003-01-01 |
发明(设计)人: | 沈冠群;汪秀琳;吴宾初;姜兆华;蔡康泽;张伟 | 申请(专利权)人: | 上海市激光技术研究所 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B23K26/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 左一平 |
地址: | 20023*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 连续 激光 陶瓷 划片 | ||
技术邻域
本实用新型涉及一种用于厚膜电路的陶瓷基板划片的连续激光陶瓷划片机。
背景技术
目前在制作厚膜电路前,先在陶瓷基板上按单个电路的外形尺寸、形状进行划线刻痕,以便在其上制作完成电路后能进行有效分片。对厚膜电路的陶瓷基板划片加工方式现有如下几种:
最早采用金刚刀划片工艺,由于加工速度、质量精度、已不适用厚膜电路的陶瓷基板的划片加工精度要求,被逐步淘汰。
一种采用模压烧结,由于其固有的收缩量控制精度已不能适应厚膜电路陶瓷基板对尺寸的精度要求,同时由于模具的设计制作成本高,不适应用于小批量和试制产品。
现有国外的一种大型脉冲二氧化碳激光划片机,该设备脉冲二氧化碳激光划片虽然速度快,但表面光洁度差,激光划片线是打点式,当沿激光划线分片后,其四周端边的断面均成锯齿形,还需增配磨边工艺和设备。增加企业成本,且价格昂贵,需几十万美元/台,不能满足我国众多企业的需求。
现国内有一种激光划片工艺采用的是固体脉冲型激光器,其重复频率只能做到几十次,由于划片速长慢,激光划片线是打点式,断面成锯齿形,表面质量差,也没有达到实用。
发明内容
本实用新型的目的是要解决现有厚膜电路的陶瓷基板划片中存在的加工缺陷,提供一种可连续产生激光对陶瓷基板划线细、速度快、断面光滑、表面光洁的连续激光陶瓷划片机。
本实用新型的目的是这样实现的,一种连续激光陶瓷划片机,包括激光器、机柜部件、工作台以及控制该划片机工作的控制电路,所述的激光器包括外壳,设在外壳内的反射膜片、声光开关、光闸、聚光腔、全反射膜片,在同一中心线上顺序间隔设置;激光器位于机柜部件上方,所述的机柜内上方左侧设有激光电源、声光电源,中间设有主控制台,右侧设有操作台,所述的工作台设在机柜一侧,工作台上方设有的光学聚焦装置与激光器激光输出口相对应,中部设有加工台,加工台下方设有驱动器,由电缆线分别与操作台连接。其特点是,所述的聚光腔设为单椭圆腔体,其腔体内设有氪灯、掺钕钇铝石榴石棒,聚光腔体内全浸水,流通去离子循环冷水,氪灯两端通过电缆线与激光电源两端连接;所述的机柜内底部设有双水冷温控装置;所述的加工台上方设有吸片装置;其侧边设有吸尘管。
上述的连续激光陶瓷划片机,其中,所述的双水冷温控装置包括一级水循环装置和二级水循环装置构成,所述的一级水循环装置包括粒子过滤器、热交换器、去离子槽、水箱、水泵,通过水管相互连通;水泵的出水口通过水管与聚光腔和声光开关的进水口分别连接,聚光腔和声光开关的出水口与粒子过滤器通过水管连接;所述的二级水循环装置包括温度传感器、热电偶、变频器、冷冻器,通过电缆线相连接,冷冻器的进水口和出水口与热交换器的出水口和进水口通过水管分别连接。
上述的连续激光陶瓷划片机,其中,所述的主控制台内设有控制电路,由电缆线与激光电源接口、声光电源接口、工作台驱动器接口联接。
上述的连续激光陶瓷划片机,其中,所述的操作台的面板上设有操作按钮,操作台内设有可更换的用户专用单片机芯片,分别与相关控制电路相连接。
上述的连续激光陶瓷划片机,其中,所述的吸片装置包括底板、密封圈、吸片座、气接头、O型密封圈、气管、出水管、射流阀、进水管、进水阀,在加工台上方设有底板,其内设有吸气通道,气道一端进口设在底板顶部,另一端出口设在底板的侧边;吸片座设在底板上方,其上设有若干个通孔;在吸片座与底板之间设有框型密缝圈,底板侧边的气道口设置O型密封圈,与气接头连接,气接头另一端与气管连接;进水阀的进水口连接进水管,进水管与出水管之间串接一射流阀,射流阀上部内腔小于下部内腔,射流阀中部的吸气口与气管连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造