[实用新型]L波段大功率PIN二极管单刀三掷开关模块

说明书

技术领域：

本实用新型与PIN二极管单刀三掷开关有关。

技术背景：

已有的L波段大功率PIN二极管单刀三掷开关多采用带封装壳体的大功率PIN二极管，由于带封装的二极管寄生参数的影响，作出的开关插入损耗较大，一般在1dB左右；在宽频带内的驻波不好，一般在＜1.5以内；开关速度较慢，通常在1us以上；射频端口多采用SMA式N型连接器，体积较大，且都为非密封器件。

实用新型内容：

本实用新型的目的是提供一种体积小、重量轻、插损小、驻波好、开关速度快、可靠性好、密封性集成化的L波段大功率PIN二极管单刀三掷开关模块。

本实用新型是这样实现的：

本实用新型L波段大功率PIN二极管单刀三掷开关模块，模块的射频输入端口(J₄)分别通过一路串联的二极管、隔直电容与一个输出端口(J₁，J₂，J₃)连接，隔直电容(C₁，C₂，C₃)分别与电感(L₁，L₂，L₃)构成LC滤波器，直流控制端口(E₁，E₂，E₃)分别与电感(L₁，L₂，L₃)和电感(C₄，C₅，C₆)连接。

本实用新型当其中一个直流控制端口加-5V电压时，其它两个直流控制端口为+56V电压。

本实用新型模块为薄膜混合电路基片，电路基片焊接在壳体内并由壳体密封。

本实用新型射频输入端口与输出端口之间的串联电路分别为二极管(D₁，D₂)、电容(C₁)，二极管(D₃，D₄)、电容(C₂)和二极管(D₅，D₆)、电容(C₃)。

L波段大功率PIN二极管单刀三掷开关模块采用薄膜混合电路工艺制成，整个模块密封在一个22×14×8.1mm³的壳体内，射频输入端口为J₄，输出端口为J₁，J₂，J₃，直流控制端口为E₁、E₂、E₃，通过给直流控制端口加-5V或+56V的电压来控制J₄-J₁，J₄-J₂、J₄-J₃各路的通断。

本实用新型采用散热性极好的Beo(或ALN)材料，通过蒸发、光刻、腐蚀、溅射等薄膜工艺制成电路基片。为了接地良好和散热，电路基片用合金焊料烧结在模块壳体内，大功率PIN二极管芯片采用合金粘片、金带键合等工艺进行混合集成，保证在大功率下开关不会被击穿及热烧毁。

附图说明：

图1实用新型的框图

图2实用新型的原理图

图3实用新型的主视图

图4实用新型的俯视图

图5实用新型的左视图

具体实施方式：