[实用新型]覆晶封装基板

说明书

技术领域

本实用新型是有关于一种基板，且特别是有关于一种可应用于覆晶封装用的覆晶封装基板。

背景技术

覆晶技术(Flip Chip，FC)主要是利用面矩阵(Area Array)的排列方式，将芯片(die)的多个焊垫配设于芯片的主动表面(activesurface)上，并在各焊垫上形成凸块(bump)，并使芯片的凸块分别连接至承载器(carrier)的接合垫(bonding pad)。由于覆晶技术(FC)具有缩小封装面积、提高封装密度及缩短信号传输路径等优点，故被广泛地应用在芯片封装领域，特别是应用在高脚位(High Pin Count)的芯片封装领域。

覆晶技术通常是利用一硬式的覆晶封装基板作为芯片的承载器，其中覆晶封装基板主要是由多层图案化线路层及多层绝缘层交互叠合而成，并以多个导电插塞分别贯穿上述的绝缘层，而电性连接上述的线路层。此外，覆晶封装基板的顶面配设有许多接合垫，使得芯片的主动表面上的凸块可连接至芯片载板的顶面上的接合垫。依照焊罩(Solder Mask)覆盖接合垫的程度不同，公知的覆晶封装基板的接合垫可分为“焊罩定义型(Solder Mask Defined，SMD)”及“非焊罩定义型(Non-Solder Mask Defined，NSMD)”两种型态。

请参考图1，其为公知的一种“非焊罩定义型(NSMD)”接合垫结构的剖示图。覆晶封装基板100a主要是由多层图案化线路层及多层绝缘层102a(仅绘示其一)相互交错叠合而成，并经由多个贯穿绝缘层的导通插塞，而电性连接这些图案化线路层。在覆晶封装基板100a的表层的图案化线路层形成多个接合垫104a，用以作为覆晶封装基板100a对应于芯片110的信号接点、电源接点或接地接点。

请同样参考图1，芯片110的主动表面112配设有多个焊垫(pad)114，而各个焊垫114上更分别配置有一凸块116。就覆晶封装基板100a而言，焊罩层106覆盖于表层的图案化线路层，并利用开口106a暴露出接合垫102a的顶面及侧面，因而形成一“非焊罩定义型(NSMD)”的接合垫104a，使得凸块116的下缘将接合并包覆接合垫104a的顶面及侧面。接着，请参考图2，其为公知的一种“焊罩定义型(SMD)”接合垫结构的剖示图。与图1的“非焊罩定义型(NSMD)”的接合垫104a相较之下，覆晶封装基板100b的焊罩层106b则并未完全暴露出接合垫104b的顶面及侧面，而仅暴露出接合垫104b的部分顶面，因而形成“焊罩定义型(SMD)”的接合垫104b，其中开口108b的尺寸大小将决定接合垫104b的接合面积。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提出一种同时具有“焊罩定义型(SolderMask Define，SMD)”及“非焊罩定义型(Non-Solder Mask Define，NSMD)”接合垫结构的覆晶封装基板，用以缩小部分接合垫的间距，并同时提高覆晶封装基板的电气效能(electrical performance)。

基于本实用新型的上述目的，本实用新型提出一种覆晶封装基板，其具有一基板、至少一信号接合垫、至少一电源/接地接合垫及图案化的一焊罩层，其中信号接合垫及电源/接地接合垫均配置于基板上，而焊罩层则是覆盖于上述的基板，并具有至少一第一开口及至少一第二开口，其中第一开口暴露出信号接合垫的顶面及侧面，形成一“焊罩定义型”接合垫结构，而第二开口则暴露出电源/接地焊垫的部分顶面，形成一“非焊罩定义型”接合垫结构。

附图说明

图1为公知的一种“非焊罩定义型(NSMD)”接合垫结构的剖示图；

图2为公知的一种“焊罩定义型(SMD)”接合垫结构的剖示图；

图3为本实用新型的较佳实施例的一种覆晶封装基板的剖示图；

图4为本实用新型的较佳实施例的一种覆晶封装基板，其部分布局结构的示意图。

100a、100b：覆晶封装基板  102a、102b：绝缘层

104a、104b：接合垫        106a、106b：焊罩层

108a、108b：开口          110：芯片

112：主动表面             114：焊垫

116：凸块                 200：覆晶封装基板

202：基板                 204a：信号接合垫

204b：电源/接地接合垫     206：焊罩层