[发明专利]具有改进开关特性的硅上绝缘体LD金属氧化物半导体结构有效
| 申请号： | 02800414.0 | 申请日： | 2002-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1457514A | 公开（公告）日： | 2003-11-19 |
| 发明（设计）人： | J·佩特鲁泽洛;T·J·莱塔维克;M·R·辛普森 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/41 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 章社杲 |
| 地址： | 荷兰艾恩*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 改进 开关 特性 绝缘体 ld 金属 氧化物 半导体 结构 | ||
【权利要求书】：
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