[发明专利]微波等离子体处理装置、等离子体点火方法、等离子体形成方法及等离子体处理方法无效
| 申请号： | 02807489.0 | 申请日： | 2002-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1502121A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘;平山昌树;须川成利;后藤哲也 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;大见忠弘 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/205;B01J19/08;C23C16/511;H01L21/265;H01L21/3065;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春雷;李其华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微波 等离子体 处理 装置 点火 方法 形成 | ||
【说明书】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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