[发明专利]用于高击穿电压半导体器件的高阻碳化硅衬底有效
| 申请号： | 02809392.5 | 申请日： | 2002-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN1507506A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 史蒂花·穆勒 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;H01L29/24;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 击穿 电压 半导体器件 碳化硅 衬底 | ||
【权利要求书】：
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