[发明专利]高表面质量的GaN晶片及其生产方法有效
| 申请号： | 02811414.0 | 申请日： | 2002-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN1541287A | 公开（公告）日： | 2004-10-27 |
| 发明（设计）人： | 徐学平;罗伯特·P·沃多 | 申请（专利权）人： | 克利公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王维玉;薛俊英 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面 质量 gan 晶片 及其 生产 方法 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于克利公司，未经克利公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/02811414.0/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
