[发明专利]可控制等离子体容积的蚀刻室有效
| 申请号： | 02817096.2 | 申请日： | 2002-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1550027A | 公开（公告）日： | 2004-11-24 |
| 发明（设计）人： | B·M·殷;T·倪;L·李;D·赫姆克 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 控制 等离子体 容积 蚀刻 | ||
【权利要求书】：
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