[发明专利]取代并五苯半导体无效
| 申请号： | 02822123.0 | 申请日： | 2002-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1582506A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | T·P·史密斯;D·E·福格尔;K·M·福格尔 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/30 | 分类号： | H01L51/30;C07C15/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 周承泽 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 取代 半导体 | ||
【权利要求书】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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