[发明专利]用于在测试低压非易失性存储器时提高编程速度的双模式高压电源无效
| 申请号： | 02826731.1 | 申请日： | 2002-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN1613119A | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | 埃米尔·兰布朗克;乔治·斯马兰杜 | 申请（专利权）人： | 爱特梅尔股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 测试 低压 非易失性存储器 提高 编程 速度 双模 高压电源 | ||
【说明书】：
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