[发明专利]改进的BEOL互连结构中的双层HDPCVD/PE CVD帽层及其方法有效
申请号: | 02827172.6 | 申请日: | 2002-11-22 |
公开(公告)号: | CN1672250A | 公开(公告)日: | 2005-09-21 |
发明(设计)人: | 陈自强;布雷特·H·恩格尔;约翰·A·菲茨西蒙斯;特伦斯·凯恩;内夫塔利·E·勒斯蒂格;安·麦克唐纳;文森特·麦加海;徐顺天;安东尼·K·斯坦珀;王允愈;厄尔德姆·卡尔塔利奥格鲁 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司;因菲尼奥恩技术股份公司 |
主分类号: | H01L21/44 | 分类号: | H01L21/44;H01L23/48;H01L23/52;H01L29/40 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改进 beol 互连 结构 中的 双层 hdpcvd pe cvd 及其 方法 | ||
【说明书】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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