[发明专利]具有伸入较深的以沟槽为基础的源电极的以沟槽为基础的交叉栅电极的垂直MOSFET及其制造方法无效
| 申请号： | 02827542.X | 申请日： | 2002-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1695251A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | B·J·巴利加 | 申请（专利权）人： | 硅半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京;黄力行 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 伸入较深 沟槽 基础 电极 交叉 垂直 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
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