[发明专利]活化P－型半导体层的方法无效
| 申请号： | 03106368.3 | 申请日： | 2003-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN1525576A | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 吴伯仁;易乃冠;张源孝 | 申请（专利权）人： | 洲磊科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈肖梅;文琦 |
| 地址： | 台湾省桃园县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 活化 半导体 方法 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于洲磊科技股份有限公司，未经洲磊科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/03106368.3/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
