[发明专利]应用于MOS场效应管的栅电介质材料铝酸锆薄膜及其制法无效
| 申请号： | 03113461.0 | 申请日： | 2003-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN1450660A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | 刘治国;朱俊 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/283;H01L21/314 |
| 代理公司： | 南京苏高专利事务所 | 代理人： | 阙如生 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应用于 mos 场效应 电介质 材料 铝酸锆 薄膜 及其 制法 | ||
【说明书】：
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