[发明专利]熔体法生长的碲镉汞材料中的复合缺陷消除方法无效
| 申请号： | 03115642.8 | 申请日： | 2003-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1436880A | 公开（公告）日： | 2003-08-20 |
| 发明（设计）人： | 萧继荣;林杏潮;方家熊;张莉萍;杨晓阳;沈杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B29/46 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 熔体法 生长 碲镉汞 材料 中的 复合 缺陷 消除 方法 | ||
【说明书】：
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