[发明专利]侧面扩散金属氧化半导体晶体管的结构及其制作方法有效
| 申请号： | 03119110.X | 申请日： | 2003-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1531105A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 杨家伟;张大鹏;廖志成 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 侧面 扩散 金属 氧化 半导体 晶体管 结构 及其 制作方法 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于世界先进积体电路股份有限公司，未经世界先进积体电路股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/03119110.X/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：浅沟隔离的制造方法
- 下一篇：高效散热的发光二极管模块
- 同类专利
- 专利分类
