[发明专利]用于无铬相位光刻技术中将半导体器件图案分解为相位和镀铬区域的方法和装置有效
| 申请号： | 03128639.9 | 申请日： | 2003-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1450403A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | D·范登布雷克;J·F·陈;T·莱迪;K·E·瓦姆普勒;D·－F·S·苏 | 申请（专利权）人： | ASML蒙片工具有限公司 |
| 主分类号： | G03B27/42 | 分类号： | G03B27/42;G03F7/20;G03F9/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 荷兰维尔*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 相位 光刻 技术 中将 半导体器件 图案 分解 镀铬 区域 方法 装置 | ||
【权利要求书】：
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