[发明专利]一种二氧化碲单晶体的坩埚下降生长技术有效
| 申请号： | 03141999.2 | 申请日： | 2003-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN1487126A | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | 葛增伟;吴国庆;储耀卿;殷学技;唐林跃;赵寒冰;顾李臻 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B15/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 单晶体 坩埚 下降 生长 技术 | ||
【权利要求书】：
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