[发明专利]电学感应源漏扩展区MOS晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 03142614.X | 申请日： | 2003-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN1477719A | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 刘文安;刘金华;黄如;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 10087*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电学 感应 扩展 mos 晶体管 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
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