[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 03147846.8 | 申请日: | 2003-06-25 |
公开(公告)号: | CN1479382A | 公开(公告)日: | 2004-03-03 |
发明(设计)人: | 菊地修一;上原正文;西部荣次;安斋胜义 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/82 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李贵亮;杨梧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社,未经三洋电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/03147846.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有III/VI族发射极的晶体管
- 下一篇:半导体装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类