[发明专利]一种具有晶格补偿的重掺硼硅单晶衬底无效
申请号: | 03150806.5 | 申请日: | 2003-09-02 |
公开(公告)号: | CN1519398A | 公开(公告)日: | 2004-08-11 |
发明(设计)人: | 杨德仁;马向阳;田达晰;沈益军;李立本;阙端麟 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C30B15/04 | 分类号: | C30B15/04;H01L21/08 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 韩介梅 |
地址: | 310027浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 晶格 补偿 重掺硼硅单晶 衬底 | ||
【说明书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学,未经浙江大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/03150806.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种大截面磷酸二氢钾类单晶体的生长方法及装置
- 下一篇:单晶的制造方法