[发明专利]使用单独三端非易失存储元件的存储器阵列及其形成方法无效
| 申请号： | 03158195.1 | 申请日： | 2003-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN1490819A | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 威廉·R.·雷赫尔;汪礼康 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;G11C11/40 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 单独 三端非易失 存储 元件 存储器 阵列 及其 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/03158195.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：薄膜磁性体存储器及与之相关的半导体集成电路器件
- 下一篇：半导体存储器件
