[发明专利]半导体器件及其制造和评估方法和处理条件评估方法有效
申请号: | 03158503.5 | 申请日: | 2003-09-17 |
公开(公告)号: | CN1495912A | 公开(公告)日: | 2004-05-12 |
发明(设计)人: | 堀充明;田村直义;滋野真弓 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/66 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 潘培坤;楼仙英 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 评估 方法 处理 条件 | ||
【说明书】:
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