[实用新型]沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件无效
| 申请号： | 03266116.9 | 申请日： | 2003-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN2638246Y | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 李志坚;田立林;何平;林羲 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 100084北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟道 通道 soi mosfet 器件 | ||
【权利要求书】：
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