[发明专利]一种用于制造由单晶半导体材料制成的无支撑衬底的方法有效
| 申请号： | 03804278.9 | 申请日： | 2003-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1636087A | 公开（公告）日： | 2005-07-06 |
| 发明（设计）人： | B·吉斯兰;F·勒泰特;C·马聚尔 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C23C16/27;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制造 半导体材料 制成 支撑 衬底 方法 | ||
【权利要求书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司，未经S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/03804278.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有自动偏置电源控制的可变增益放大器
- 下一篇：改编图形用户界面的方法与装置
