[发明专利]双位记忆单元的改良擦除方法无效
| 申请号： | 03807746.9 | 申请日： | 2003-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1698133A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | D·G·汉密尔顿;E·M·阿吉米尼;B·Q·李;E·赫塞尔;K·坦派罗伊 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/16 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 记忆 单元 改良 擦除 方法 | ||
【说明书】：
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