[发明专利]氮化镓(GaN)类化合物半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 03812891.8 | 申请日： | 2003-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN1659713A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 佐藤寿朗;菅原智也;北泽慎二;村本宜彦;酒井士郎 | 申请（专利权）人： | 氮化物半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郭煜;庞立志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 gan 化合物 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
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