[发明专利]一种离子植入装置和一种通过植入氢化硼簇离子制造半导体的方法有效
| 申请号： | 03815031.X | 申请日： | 2003-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1973346A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·N·霍尔斯基;达勒·C·雅各布森 | 申请（专利权）人： | 山米奎普公司 |
| 主分类号： | H01J7/24 | 分类号： | H01J7/24;H01J31/26 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 离子 植入 装置 通过 氢化 制造 半导体 方法 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山米奎普公司，未经山米奎普公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/03815031.X/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：治疗胰腺癌的组合物和方法
- 下一篇：与微粒体前列腺素E2合成酶有关的方法
