[发明专利]通过气相外延法制造具有低缺陷密度的氮化镓膜的方法有效
申请号: | 03820771.0 | 申请日: | 2003-07-24 |
公开(公告)号: | CN1678771A | 公开(公告)日: | 2005-10-05 |
发明(设计)人: | B·博蒙;P·吉巴尔特;J-P·福里 | 申请(专利权)人: | 卢米洛格股份有限公司 |
主分类号: | C30B25/02 | 分类号: | C30B25/02;H01L33/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王杰 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 外延 法制 具有 缺陷 密度 氮化 方法 | ||
【权利要求书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卢米洛格股份有限公司,未经卢米洛格股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/03820771.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:不平衡测量设备
- 下一篇:二硼化物单晶衬底与使用它的半导体装置及其制造方法