[发明专利]具有改良的载流子迁移率的垂直双栅极场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 03823250.2 | 申请日： | 2003-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN1685523A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 林明仁;J·S·吴;汪海宏;相奇 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 改良 载流子 迁移率 垂直 栅极 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
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