[发明专利]绝缘栅场效应晶体管及其制造方法和摄像装置及其制造方法无效
| 申请号： | 03823935.3 | 申请日： | 2003-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN1689167A | 公开（公告）日： | 2005-10-26 |
| 发明（设计）人： | 吉田宏之 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/762 | 分类号： | H01L29/762;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/339;H01L27/14;H04N5/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 场效应 晶体管 及其 制造 方法 摄像 装置 | ||
【权利要求书】：
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