[其他]电沉积金-碳化硅复合镀层在审
| 申请号： | 101985000000021 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1004528B | 公开（公告）日： | 1989-06-14 |
| 发明（设计）人： | 郭鹤桐;王兆勇;邱训高 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 天津大学专利代理事务所 | 代理人： | 张宏祥;曲远方 |
| 地址： | 天津市南*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沉积 碳化硅 复合 镀层 | ||
【权利要求书】：
1、一种用作继电器电触点的金基复合镀层，其特征在于，镀层中弥散有占镀层体积0.1～10%，粒径小于0.5微米的SiC微粒。
2、权利要求1所述金基复合镀层的镀覆方法，其特征在于，在添加有0.1～10克/升粒径小于0.5微米的SiC微粒的，氰化物的、酸性的或亚硫酸盐的镀金电解液中将Au-SiC复合镀层沉积。在铜合金或其它金属基体上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/101985000000021/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：钛钢复合板真空制盐蒸发室
- 下一篇：铸态铁素体球墨铸铁复合孕育工艺
- 同类专利
- 专利分类
