[其他]真空镀膜采用致冷器的冷却方法在审
| 申请号： | 101985000000062 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85100062B | 公开（公告）日： | 1987-10-07 |
| 发明（设计）人： | 许知止;李春茂;周炳琨 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 清华大学专利事务所 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 真空镀膜 采用 致冷 冷却 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种真空镀膜的冷却方法，其特征在于采用一个以上的半导体致冷器〔1〕冷却被镀工件〔2〕。
2、按照权利要求1所述的冷却方法，其特征在于将半导体致冷器〔1〕的冷端与被镀工件相连，两端由耐高温导线〔3〕直接引至镀膜机原有的一对电极〔4〕上，再由电极在罩外接出两根导线〔5〕至一个直流稳压电源上。
3、按照权利要求1或2所述的冷却方法，其特征是用于砷化镓半导体激光器解理面镀单层介质膜，采用三个串联的半导体致冷器〔1〕冷却该激光器，其中一个致冷器的冷端用低熔点焊锡与激光器的热沉相粘连，其它两个致冷器分别置于激光器的两侧。
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