[其他]采用氮保护气氛制造直拉(切氏法)硅单晶的方法在审
| 申请号： | 101985000000295 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85100295B | 公开（公告）日： | 1986-02-10 |
| 发明（设计）人： | 阙端麟;李立本;林玉瓶 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 保护 气氛 制造 切氏法 硅单晶 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种带有减压充气保护的直拉（切氏法）硅单晶的制造方法，其特征是采用纯氮作为拉制硅单晶的保护气氛。
2、按照权利要求1所述直拉硅单晶的制造方法，其特征在于所用的氮气纯度为99.999%以上，炉内氮气压力为0.5～60托，氮气流量为2～50升/分。
3、按照权利要求2所述的方法，其特征在于它的最佳技术参数是炉内氮气压力为10～30托，氮气流量为10～30升/分。
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