[其他]高分辨率深能级瞬态谱仪的设置方法及仪器

权利要求书

1、关于半导体深能级瞬态谱仪中瞬态信号处理仪的设置方法，其特征是对瞬态讯号设置多点组合率窗系列SRW（m），即对一个瞬态讯号设置多于两个（m≥3）不同时间的取样点（t₁、t₂、……t_m），由其组合构成率窗，具体组合方法由比取样点少一的二个相邻近率窗的谱讯号之差获取：

S_（3）＝S（t₁、t₂）-S（t₂、t₃）

S（m）＝S（t₁、t₂…t_m-1）-S（t₂、t₃…t_m）

＝S（t₁）-am2 ]]>S（t₂）+…+（-1）^n-1aS（t_n）+…+（-1）^m-1S（t_m）

2、按权利要求1所述的设置方法，其特征是每两个相邻取样点之间的时间间隔都相等或有长短。

3、半导体深能级瞬态谱仪中瞬态讯号处理仪，由取样电路、时序脉冲发生器，放大电路等组成，本发明特征是按权利要求1或2的方法设计，经放大器或缓冲器后设有多于个取样门，〔K₁〕、〔K₂〕…〔K_m〕为取样电路，每个门后对应串联一个电阻〔R₁〕、〔R₂〕…〔R_m〕，时序脉冲发生器〔T、G〕与每个取样门有连线，取样电路后接由减器或比较放大器构成的讯号处理电路，而后输出谱讯号S（m）。

4、按权利要求3所述的仪器，其特征是取样电路为取样积分式电路，即取样门〔K₁〕、〔K₂〕…〔K_m〕是取样脉冲〔t₁〕、〔t₂〕…〔t_m〕控制的电路开关，或者是一取样保持电路，即取样门是由脉冲〔t₁〕、〔t₂〕…〔t_m〕控制的取样保持电路。

5、按权利要求3或4的仪器，其特征是每取样门后串联的电阻〔R₁〕、〔R₂〕…〔R_m〕这样选取，如果第一取样门串联的电阻是〔R₁〕，第m个电阻也是〔R₁〕，第n个电阻〔R_n〕的取值

R_m＝R₁/amn ]]>，a是二项式展开系数。

6、按权利要求3或4所述的仪器，其特征是取样时序脉冲的第奇数个取样门电路后的电阻均接到减法器的正输入端（同相端），第偶数个取样门电路后的电阻均接到减法器的负输入端（反相端）。

7、按权利要求3或4所述的仪器，其特征是取样保持电路中每个取样门电路〔K₁〕、〔K₂〕…〔K_m〕，都包含有二个取样保持电路，其中第一个取样保持电路对讯号取样，第二个取样保持电路对取样信号同步相加减。

8、按权利要求3或4所述的仪器，其特征是可用于制成高分辨率深能级瞬态电容谱仪，恒电容深能级瞬态谱仪，双脉冲深能级瞬态谱仪，光激瞬态电流谱仪，瞬态电荷谱仪中讯号处理仪，或者可以制成组合上述功能的多功能深能级瞬态谱仪。