[其他]台面型半导体器件的制造方法在审
申请号: | 101985000000501 | 申请日: | 1985-04-01 |
公开(公告)号: | CN1003830B | 公开(公告)日: | 1989-04-05 |
发明(设计)人: | 何德湛;陈益清;胡顺帆;何启丁;严光华;徐元森;朱菊珍;朱菊珍 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海冶金研究所 |
主分类号: | 分类号: | ||
代理公司: | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人: | 季良赳 |
地址: | 上海市长宁*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 台面 半导体器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】:
1、本发明是一种用金刚砂轮刀开槽制造半导体器件台面的方法,所开的槽与p-n结界面接近垂直,其特征在于开槽前在管芯表面涂胶,开槽后用有缓慢腐蚀速度的腐蚀液稍加腐蚀,然后进行表面钝化。
2、按权利要求1所述的方法,其特征在于所开的槽在单个管芯四周形成井字形结构。
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