[其他]重烧结氮化硅陶瓷制备方法在审
| 申请号： | 101985000000506 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85100506B | 公开（公告）日： | 1987-08-12 |
| 发明（设计）人： | 庄汉锐;华道权;李文兰;邬凤英;符锡仁;严东生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 潘振苏;聂淑仪 |
| 地址： | 上海市长宁*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 烧结 氮化 陶瓷 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种重烧结氮化硅的制备方法，一般包括二个阶段，首先由硅粉和添加物混合后制成块状，在N2、H2、Ar混合气体中于1200～1500℃加热氮化变为含有添加物的反应烧结氮化硅，然后再埋入填料中重烧结，其特征在于：
（1）主要添加物是Y2O3和Al2O3组成的钇铝石榴石，加入量为5～35%（重量）;
（2）在添加钇铝石榴石的基础上，再添加一种或多种辅助添加物，如TiO2、ZrO2、CeO2等，添加量为0.1～1%（重量）;
（3）埋料是由氮化硅、氮化硼和氧化硅组成，其组分分别为70～98%、1～30%和0.1～10%（均为重量）;
（4）重烧结是在1650～1950℃N2气氛下进行的，保温0.5～10小时。
2、按权利要求1所述的方法，其特征在于优先推荐的钇铝石榴石添加量为10～20%（重量）。
3、按权利要求1所述的方法，其特征在于重烧结的最佳温度范围是1750～1850℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/101985000000506/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：利用钛铁锰合金制备超纯氢的方法和装置
- 下一篇：改性铌酸铅钡钠压电陶瓷材料
- 同类专利
- 专利分类
