[其他]一种耐高温的温梯法晶体生长装置

权利要求书

1、一种耐高温的温梯法晶体生长装置，含有坩埚1，发热体11，保温屏蔽装置和坩埚支撑装置，其特征在于所说的发热体为一被上槽11-1和下槽11-2分割成矩形波状的板条通电回路11-3的圆筒，该板条通电回路的上半部有一系列圆孔，和/或方孔，和/或三角形孔11-4，其孔数和/或孔径的分布自上而下逐渐减少。

2、按照权利要求1或2的晶体生长装置，所说的保温屏蔽装置，含有侧屏蔽筒19，上热挡板24和下热挡板13，其特征在于所说的上热挡板中有一块陶瓷材料构成的隔热板23，该隔热板为空心球刚玉板，或颗粒结构的氧化锆板。

3、按照权利要求1或2的晶体生长装置，其特征在于所说的坩埚1由底部中心有一籽晶槽1-1尾部的锥形底1-2和圆锥筒形的坩埚壁1-3构成，锥形底的锥度小于120°，最佳为95°～110°，坩埚壁的锥度大于1∶100，最佳为1∶30～1∶40。

4、按照权利要求1或2的晶体生长装置，其特征在于所说的坩埚支撑装置，含有坩埚定位托2、氧化锆保温环3、钼座4、坩埚杆5，所说的坩埚籽晶槽尾部置于坩埚定位托的圆形凹槽2-1内，坩埚定位托通过氧化锆保温环置于坩埚杆的钼座4的中心凹槽4-1内，氧化锆保温环下部的突起3-3置于钼座的定位圈4-2内。

5、按照权利要求3的晶体生长装置，其特征在于所说的坩埚支撑装置，含有坩埚定位托2、氧化锆保温环3、钼座4、坩埚杆5，所说的坩埚籽晶槽尾部置于坩埚定位托的圆形凹槽2-1内，坩埚定位托通过氧化锆保温环置于坩埚杆的钼座4的中心凹槽4-1内，氧化锆保温环下部突起3-3置于钼座的定位圈4-2内。

6、按照权利要求4的晶体生长装置，其特征在于所说的坩埚钼座4和保温环3的直径大致与所说的坩埚圆锥壁底部的直径相当。

7、按照权利要求5的晶体生长装置，其特征在于所说的坩埚钼座4和保温环3的直径大致与所说的坩埚圆锥壁底部的直径相当。